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ZXMN6A09GTA 发布时间 时间:2025/6/4 0:56:40 查看 阅读:3

ZXMN6A09GTA 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于广泛的功率转换和电机驱动应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能。
  这款 MOSFET 主要用于需要高效能和高可靠性的场景,例如适配器、充电器、DC-DC 转换器、LED 驱动器等。其封装形式为 SOT-23,具有小体积和易于安装的特点,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:6.8A
  导通电阻:10mΩ
  栅极电荷:10nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

ZXMN6A09GTA 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 小巧的 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下依然保持可靠的性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得 ZXMN6A09GTA 成为便携式设备、消费类电子以及工业控制应用的理想选择。

应用

ZXMN6A09GTA 可应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. LED 照明系统的驱动电路。
  3. 电池管理与保护电路。
  4. 各种消费类电子产品中的负载切换。
  5. 小型电机驱动和控制。
  由于其高效的性能和紧凑的封装,该器件非常适合对成本和尺寸敏感的应用场景。

替代型号

ZXMN6A09FTA, ZXMN6A08GTA

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ZXMN6A09GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 8.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24.2nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1407pF @ 40V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN6A09GTR