时间：2025/8/14 2:01:36
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LMBR3100FT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的表面贴装型肖特基势垒整流器（Schottky Barrier Rectifier），专为高效率、高频整流应用设计。该器件采用紧凑的表面贴装封装（SMB Flat引脚），适用于需要快速开关性能和低正向压降的电路中。LMBR3100FT1G 的最大平均整流电流为3A，最大反向电压为100V，具有较高的热稳定性和较低的功耗，适用于电源适配器、DC/DC转换器、负载开关、反向电池保护等多种应用场合。
最大平均整流电流：3A
最大反向电压：100V
峰值正向电流：15A
正向电压（@3A）：0.45V（典型值）
反向漏电流（@100V）：100μA（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SMB Flat（表面贴装）
LMBR3100FT1G 的主要特性之一是其低正向压降，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。在3A的正向电流下，其典型正向压降仅为0.45V，显著低于传统的硅整流器。这种低Vf特性在高电流和高频率应用中尤为重要，因为它能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。
此外，LMBR3100FT1G 采用了肖特基势垒结构，使其具备非常快的开关速度，几乎不存在反向恢复时间（trr非常短），因此非常适合用于高频开关电源和DC/DC转换器。这种快速响应能力有助于减少开关过程中的能量损耗，提升系统的动态响应性能。
该器件还具有良好的热稳定性，其SMB Flat封装设计有助于提高散热效率，确保在高负载条件下依然保持稳定的性能。封装形式采用表面贴装技术，便于自动化生产和PCB布局，同时也提高了整体系统的可靠性。
LMBR3100FT1G 的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于多种环境条件下的应用，包括工业控制、汽车电子、通信设备等领域。此外，其反向漏电流在100V条件下最大仅为100μA，表现出良好的反向阻断能力和稳定性，适合用于对漏电流要求较高的精密电路中。
LMBR3100FT1G 主要应用于需要高效整流和快速开关性能的电子设备中。例如，在电源适配器、AC/DC电源模块、DC/DC转换器中作为输出整流器，能够显著提高电源转换效率并减少发热。由于其快速的开关特性和低正向压降，该器件也常用于高频率开关电路中，如PWM控制器的整流部分。
在电池供电设备中，LMBR3100FT1G 可用作反向电池保护二极管，防止因电池反接而损坏电路。其低功耗特性也有助于延长电池的使用寿命。
此外，该器件适用于工业自动化设备中的电源管理模块、LED照明驱动电路、电动工具、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统中的电源转换模块。在这些应用中，LMBR3100FT1G 提供了可靠的整流功能，并有助于提高系统的整体能效和稳定性。
LMBR3100TF
MBR3100T
MBR3H100
SB3100
LMBR3100T
