类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　漏极电流（Id）：50A（最大值）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ（最大值，Vgs=10V时）
　　封装类型：SOP
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗（Pd）：100W（最大值）
　　技术工艺：U-MOS VIII-H
　　栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30V

TPH2R903PL 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）特性显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽工艺技术，实现了更高的性能和可靠性。其次，TPH2R903PL 具备高电流承载能力，能够在高负载条件下稳定工作，适合需要高功率输出的应用场景。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常运行，适应各种复杂的工作环境。
　　TPH2R903PL 还具备优异的开关性能，其快速的开关速度可以有效减少开关损耗，提高整体系统的效率。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提升控制精度。该器件的封装形式为SOP，具有良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性并延长使用寿命。
　　另外，TPH2R903PL 在设计上注重安全性和稳定性，具备过流保护和过热保护功能，能够在异常工作条件下防止器件损坏。这些特性使其成为适用于高要求应用的理想选择，如电动工具、电池管理系统、DC-DC转换器以及电源管理模块。

TPH2R903PL 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几类：首先是电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关以及电源分配系统，其低导通电阻和高效率特性使其在电源转换应用中表现出色。其次是电动工具和电池供电设备，TPH2R903PL 的高电流承载能力和高效能特性使其非常适合用于驱动电机和高功率负载。此外，它还广泛应用于工业控制系统、汽车电子系统以及储能设备中，用于实现高效的功率管理和能量转换。
　　在电动车辆和新能源系统中，TPH2R903PL 可用于电池管理系统（BMS）中的功率开关，实现对电池充放电过程的高效控制。在消费电子领域，该器件可用于高功率适配器、笔记本电脑和台式机的电源管理模块，提升设备的能效和稳定性。此外，该MOSFET还可用于LED照明系统、不间断电源（UPS）以及光伏逆变器等应用，满足不同领域对高性能功率器件的需求。

TPH2R903PL 的替代型号包括 TPH3R403AL 和 TPC8104-H，它们在性能和应用方面具有相似之处。TPH3R403AL 同样是东芝推出的一款N沟道功率MOSFET，具有较低的导通电阻和高电流承载能力，适用于类似的电源管理和功率转换应用。TPC8104-H 则是由东芝或其它厂商提供的另一款高性能MOSFET，可在某些应用中作为替代选择。