型号：ZXMN6A08GTA
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：9.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：37.6A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：8.3mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：10.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=2.5V：15.8mΩ
　　阈值电压（Vgs(th)）@Id=250μA：1.1V~2.2V
　　输入电容（Ciss）@Vds=30V：1350pF
　　输出电容（Coss）@Vds=30V：350pF
　　反向传输电容（Crss）@Vds=30V：65pF
　　总栅极电荷（Qg）@Vgs=10V, Id=9.4A：24nC
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　上升时间（tr）：35ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：20ns
　　下降时间（tf）：25ns
　　功耗（Pd）@TA=25°C：2.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PDFN3×3

ZXMN6A08GTA采用先进的沟槽型MOSFET技术，具备极低的导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的能效。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为8.3mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少发热并提升电流承载能力。该器件在Vgs低至2.5V时仍能有效导通，Rds(on)为15.8mΩ，这使其非常适合用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如微控制器控制的开关电路或低压电源管理系统。其宽泛的栅源电压范围（±20V）提供了良好的驱动兼容性和过压保护能力，避免因驱动信号波动导致器件损坏。
　　该MOSFET具有出色的开关性能，输入电容和反向传输电容较低，使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高转换效率。总栅极电荷Qg仅为24nC，意味着驱动电路所需的能量较小，有利于降低驱动IC的负担并提升系统响应速度。开启和关闭延迟时间短，配合快速的上升和下降时间，确保了精确的开关控制，适用于同步整流、PWM调光和高频DC-DC变换器等场合。
　　ZXMN6A08GTA采用PDFN3×3封装，具有极佳的热传导性能，底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速散发，提升了器件在高负载条件下的可靠性。该封装无引脚设计不仅节省空间，还减少了寄生电感，进一步优化了高频性能。其工作结温可达+150°C，表明其具备良好的高温工作能力，可在严苛环境下稳定运行。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，具备高抗雪崩能力和优秀的长期稳定性，适用于工业控制、通信设备和汽车电子辅助电源等对可靠性要求较高的领域。

ZXMN6A08GTA广泛应用于多种电源管理与功率控制场景。典型应用包括同步降压转换器中的下管或上管，利用其低导通电阻和快速开关特性实现高效率的能量转换。在负载开关电路中，它可用于控制电源路径的通断，防止浪涌电流并实现电源多路复用。此外，该器件适用于电机驱动模块，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件使用。在电池供电设备如笔记本电脑、移动电源、便携式医疗仪器中，ZXMN6A08GTA可用于电池保护电路或电源选通控制，延长续航时间并提升安全性。其高电流能力和紧凑封装也使其适用于LED驱动、热插拔控制器以及各类工业自动化设备中的功率切换模块。由于其良好的热性能和电气特性，该MOSFET还可用于电信基础设施设备中的DC-DC电源模块，以及消费类电子产品中的电压调节单元。

ZXMN6A08E6TA
　　DMG6014U
　　AO6408A
　　SI2305DS