RTY360HVEAX 时间：2025/8/28 13:45:06 阅读：4

RTY360HVEAX是一款高电压、高电流能力的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能功率管理的电子电路设计。这款器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，能够承受较高的工作电压和电流。RTY360HVEAX通常用于电源转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等应用。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛的工业环境或汽车电子系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为0.36Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：83W
　　栅极电荷(Qg)：23nC
　　输入电容(Ciss)：1000pF
　　反向恢复时间(trr)：未指定
　　开启延迟时间(td(on))：9ns
　　关断延迟时间(td(off))：36ns

特性

RTY360HVEAX MOSFET具备多项关键特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其最大漏源电压为600V，使其能够承受较高的工作电压，非常适合用于高压电源系统，如AC-DC转换器和DC-DC变换器。其次，该器件的最大连续漏极电流为10A，能够在中等高功率负载下稳定运行，例如在电机驱动和负载开关电路中。
　　其导通电阻最大为0.36Ω，有助于降低导通损耗，提高整体能效。这对于电池供电设备或需要优化热管理的设计尤为重要。此外，RTY360HVEAX的栅极电荷（Qg）为23nC，保证了较快的开关速度，从而减少了开关损耗，提高了系统效率。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要较高功率耗散能力的电路。其功率耗散能力为83W，可在较高温度环境下运行，同时保持稳定的工作性能。工作温度范围为-55°C至150°C，适合用于工业控制、汽车电子以及户外设备等复杂环境。
　　RTY360HVEAX还具备较强的抗过载和瞬态电压能力，有助于提升系统的可靠性和寿命。该MOSFET适用于多种控制拓扑结构，如同步整流、H桥电机驱动和功率因数校正（PFC）电路。结合其高电压和中等电流能力，RTY360HVEAX是许多中高功率应用的理想选择。

应用

RTY360HVEAX广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关、逆变器和工业自动化控制设备。此外，它还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器。由于其良好的耐压和导通性能，该MOSFET在高电压LED照明驱动器和太阳能逆变器中也有广泛应用。