时间：2025/12/26 12:58:27
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ZXMN4A06K是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等场合。该器件采用小型化的DFN2020封装（也称为SOT-1220），具有低导通电阻、高电流密度和良好的热性能，非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。ZXMN4A06K的设计注重能效和可靠性，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通状态，适用于3.3V或5V逻辑接口的直接驱动。其主要优势在于优化了RDS(on)与栅极电荷之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出色，例如DC-DC转换器、电池供电系统以及电机驱动电路。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和坚固的结构设计，提升了在瞬态过压和过流条件下的鲁棒性。由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，ZXMN4A06K已成为许多现代电子设计中的首选功率开关元件之一。
型号：ZXMN4A06K
通道类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：60V
最大连续漏极电流(ID)：4.8A
最大脉冲漏极电流(IDM)：19A
最大栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=4.5V
导通电阻(RDS(on))：33mΩ @ VGS=2.5V
阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss)：470pF @ VDS=30V
反向恢复时间(trr)：18ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
封装类型：DFN2020
