时间：2025/6/16 16:57:05
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DE1B3KX221KN4AP01F 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，适用于高频开关和高效能电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备领域。
类型：N-Channel MOSFET
耐压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻：0.022Ω
栅极电荷：75nC
开关频率：高达500kHz
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功耗并提高系统效率。
2. 高额定电压和大电流能力，确保在严苛条件下可靠运行。
3. 快速开关性能，减少开关损耗并支持高频工作。
4. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
5. 优秀的热稳定性，能够承受长时间高温运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业逆变器及不间断电源(UPS)系统。
5. 充电器和适配器设计中的关键功率元件。
6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关应用。
IRFP460N, STP17NF50, FQA14N65S7
