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AONS32314 发布时间 时间:2025/4/28 13:34:28 查看 阅读:3

AONS32314是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)生产的高性能、低导通电阻的N沟道MOSFET。这款器件采用先进的半导体制造工艺,具有出色的开关特性和低损耗特点,适合用于各种电源管理和功率转换应用。其小型化的封装设计使其非常适合对空间要求严格的现代电子设备。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):37nC
  总电容(Ciss):3150pF
  工作温度范围(Tj):-55℃至150℃

特性

AONS32314采用了先进的制程技术,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 较低的栅极电荷Qg和输出电荷Qoss,可实现快速开关操作并减少开关损耗。
  3. 高度可靠的电气性能,在恶劣环境下也能保持稳定运行。
  4. 小型化封装(如TO-263或DPAK),节省PCB板上的空间。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

AONS32314广泛应用于需要高效功率转换和管理的领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器,特别是在降压或升压拓扑中作为主开关管使用。
  3. 电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制。
  4. OR-ing二极管替代方案,以减少功耗。
  5. 电池保护和负载切换开关。
  6. 各类工业自动化设备和消费电子产品中的功率管理单元。

替代型号

AO6831A
  IRF640
  FDP5570
  STP18NF06L

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AONS32314参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.37847卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18.5A(Ta),32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.25V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)32 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1420 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线