ZXMN4A06GT是一款由Infineon(英飞凌)公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装形式,适用于开关电源、电机驱动、逆变器和负载切换等应用。它具有低导通电阻和高能效的特点,能够满足多种工业及消费类电子设备的需求。
这款MOSFET的设计旨在降低功耗并提高系统效率,同时保持良好的热性能和可靠性。其工作电压范围和电流能力使其非常适合中等功率的应用场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:90mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:8nC(典型值)
总功耗:1.2W
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
ZXMN4A06GT的主要特性包括以下几点:
1. 低导通电阻:在Vgs=10V条件下,导通电阻仅为90mΩ(典型值),这有助于减少导通损耗,提升整体系统效率。
2. 高开关速度:由于其较低的栅极电荷(8nC典型值),可以实现快速开关操作,从而降低开关损耗。
3. 热稳定性:支持最高结温达150℃,能够在恶劣环境下可靠运行。
4. 小型化封装:TO-252 (DPAK) 封装不仅节省了PCB空间,还提供了良好的散热性能。
5. 可靠性:经过严格的质量控制流程生产,确保长期使用的稳定性和耐用性。
这些特点使得ZXMN4A06GT成为需要高效能和紧凑设计应用的理想选择。
ZXMN4A06GT广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):如适配器、充电器以及DC-DC转换器中的同步整流和功率开关。
2. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的控制电路。
3. 逆变器:光伏逆变器和其他类型的电力转换设备。
4. 负载切换:电池管理系统中的负载通断控制。
5. 工业自动化:各类工业控制设备中的功率开关元件。
其卓越的电气特性和可靠性使该器件能够胜任各种复杂的工作环境。
ZXMN4A06FT, ZXMN4A06HT