时间：2025/5/7 15:44:43
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ZXMN3B01F(2) 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装，适合于空间受限的应用场景。ZXMN3B01F(2) 具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
由于其卓越的性能和紧凑设计，这款MOSFET在负载切换、电源管理以及信号路由等应用中表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（典型值，Vgs=4.5V）：1.4Ω
栅极电荷：6nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率，尤其在电池供电设备中表现突出。
2. 快速开关能力使其适用于高频开关电路。
3. 高度集成的小型化封装节省了PCB面积。
4. 可靠的电气性能保证了长时间稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围适应多种环境条件。
1. 消费类电子产品中的负载切换。
2. 便携式设备的电源管理。
3. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
4. 电机驱动与控制。
5. 通信系统中的信号路由和保护。
6. 工业自动化设备中的信号隔离和驱动。
ZXMN3F30F, BSS138, AO3400
