时间：2025/5/28 19:49:31
阅读：7
CMP40N20是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。其出色的电气性能使其成为工业控制、消费电子及汽车电子领域中常用的功率半导体器件。
该型号的额定电压为200V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备40A的最大连续漏极电流能力，确保在大功率应用场景下的可靠性。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：36nC
输入电容：1500pF
开关时间：ton=70ns, toff=35ns
结温范围：-55℃至175℃
CMP40N20具有以下显著特点：
1. 高电压耐受能力，适合高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功耗并提升效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 高雪崩能量能力，增强器件在异常情况下的鲁棒性。
5. 良好的热稳定性，能够在较宽温度范围内正常工作。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代设计中。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 各类电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。
4. 电池保护电路中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电磁阀驱动和灯光控制。
CMP40N20凭借其优异的性能，成为许多高功率密度设计的理想选择。
IRFZ44N
STP40NF20
FDP40N20S
IXFN40N20
