时间：2025/5/9 9:16:58
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ZXMN10A09K 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型MOSFET，适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用TO-263-3封装形式，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点，使其在各种工业及消费类电子产品中表现出色。
最大漏源电压：90V
连续漏极电流：10A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：17nC
总功耗：15W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
ZXMN10A09K 的主要特性包括超低导通电阻，可显著降低功率损耗并提高系统效率。此外，其快速开关性能有助于减少开关损耗，从而提升高频应用中的表现。该器件还具备良好的热稳定性和耐用性，在极端温度条件下仍能保持可靠的性能。
由于采用了先进的制造工艺，ZXMN10A09K 能够在高频开关环境中提供稳定的输出，并且能够承受较高的电压瞬变，因此适合于要求严苛的工业环境。同时，其紧凑的封装设计也使其成为节省空间的理想选择。
ZXMN10A09K 广泛应用于直流-直流转换器、电机驱动电路、电源管理模块以及各类开关电源（SMPS）。它特别适合需要高效率和高可靠性的场景，例如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动工具以及汽车电子设备中的负载切换控制等。
此外，由于其出色的散热特性和大电流承载能力，ZXMN10A09K 还可以用于LED照明驱动器和音频放大器等领域。
IRLB8749PBF
AO3400
FDP5500
