MMBTSC2412 是一款由 Nexperia(原恩智浦半导体)推出的双极性晶体管阵列(双 NPN 晶体管),主要用于数字逻辑电路、开关电路和放大电路等应用。该器件采用 SOT-363 封装,属于小外形封装(SMD),非常适合在空间受限的 PCB 设计中使用。MMBTSC2412 的设计具有良好的热稳定性和高可靠性,广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备中。
晶体管类型:NPN 双晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极-基极电压(VCBO):50V
发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(Ptot):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):110 ~ 800(取决于测试条件)
MMBTSC2412 具有多个关键特性,使其在各种电子设计中表现出色。首先,该器件采用了双 NPN 晶体管结构,允许在同一封装中实现两个独立的晶体管功能,这不仅节省了 PCB 空间,还提高了电路集成度。其次,该器件的 VCEO 和 VCBO 均为 50V,具备较高的电压耐受能力,适用于多种中低功率应用。此外,MMBTSC2412 的最大集电极电流为 100mA,足以满足大多数数字开关和信号放大需求。
在热稳定性方面,MMBTSC2412 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保其在极端环境下仍能正常工作。SOT-363 封装具有优良的热传导性能,有助于降低器件温度,提高长期可靠性。此外,该器件的电流增益(hFE)范围为 110 至 800,具体数值取决于测试条件,使其适用于不同类型的放大电路设计。
MMBTSC2412 还具有较高的频率响应能力,增益带宽积(fT)可达 100MHz,适用于高速开关和中频放大应用。其低饱和压降(VCE(sat))也使其在开关应用中功耗更低,效率更高。同时,该器件符合 RoHS 环保标准,不含铅和卤素,适用于环保要求较高的电子产品设计。
MMBTSC2412 适用于多种电子系统设计,尤其是在需要双晶体管功能的小型化电路中表现优异。典型应用包括数字逻辑门电路中的电平转换与缓冲、继电器驱动电路、LED 显示控制、电源管理开关电路、音频放大电路以及通信设备中的信号处理模块。此外,该器件还可用于构建达林顿对管结构以提高电流增益,或作为缓冲器和逆变器使用于嵌入式控制系统中。由于其优良的热稳定性和高频响应,MMBTSC2412 也常用于工业自动化设备、消费类电子产品(如智能家电、可穿戴设备)以及汽车电子系统中的传感器接口和控制单元。
BC847BS、MMBT3904LT1G、2N3904、BC817、MMBT2222ALT1G