MMBTSC2412 时间：2025/8/16 14:34:59 阅读：28

MMBTSC2412 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体）推出的双极性晶体管阵列（双 NPN 晶体管），主要用于数字逻辑电路、开关电路和放大电路等应用。该器件采用 SOT-363 封装，属于小外形封装（SMD），非常适合在空间受限的 PCB 设计中使用。MMBTSC2412 的设计具有良好的热稳定性和高可靠性，广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备中。

参数

晶体管类型：NPN 双晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（取决于测试条件）

特性

MMBTSC2412 具有多个关键特性，使其在各种电子设计中表现出色。首先，该器件采用了双 NPN 晶体管结构，允许在同一封装中实现两个独立的晶体管功能，这不仅节省了 PCB 空间，还提高了电路集成度。其次，该器件的 VCEO 和 VCBO 均为 50V，具备较高的电压耐受能力，适用于多种中低功率应用。此外，MMBTSC2412 的最大集电极电流为 100mA，足以满足大多数数字开关和信号放大需求。
　　在热稳定性方面，MMBTSC2412 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保其在极端环境下仍能正常工作。SOT-363 封装具有优良的热传导性能，有助于降低器件温度，提高长期可靠性。此外，该器件的电流增益（hFE）范围为 110 至 800，具体数值取决于测试条件，使其适用于不同类型的放大电路设计。
　　MMBTSC2412 还具有较高的频率响应能力，增益带宽积（fT）可达 100MHz，适用于高速开关和中频放大应用。其低饱和压降（VCE(sat)）也使其在开关应用中功耗更低，效率更高。同时，该器件符合 RoHS 环保标准，不含铅和卤素，适用于环保要求较高的电子产品设计。

应用

MMBTSC2412 适用于多种电子系统设计，尤其是在需要双晶体管功能的小型化电路中表现优异。典型应用包括数字逻辑门电路中的电平转换与缓冲、继电器驱动电路、LED 显示控制、电源管理开关电路、音频放大电路以及通信设备中的信号处理模块。此外，该器件还可用于构建达林顿对管结构以提高电流增益，或作为缓冲器和逆变器使用于嵌入式控制系统中。由于其优良的热稳定性和高频响应，MMBTSC2412 也常用于工业自动化设备、消费类电子产品（如智能家电、可穿戴设备）以及汽车电子系统中的传感器接口和控制单元。