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ZXMHC10A07T8TA 发布时间 时间:2023/8/15 11:59:22 查看 阅读:245

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:DiodesInc.
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:QuadDualDrainDualSource
晶体管极性:NandP-Channel
汲极/源极击穿电压:100V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:1.1AatNChannel,0.9AatPChannel
功率耗散:1300mW
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SM-8
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:1000

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ZXMHC10A07T8TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥式)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A,800mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds138pF @ 60V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-223-8
  • 供应商设备封装SM8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMHC10A07T8TR