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ZXMD65P02N8TC 发布时间 时间:2023/10/7 13:46:45 查看 阅读:222

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:50 毫欧 @ 2.9A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
Id 时的 Vgs(th)(最大):700mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :960pF @ 15V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:8-SOP

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ZXMD65P02N8TC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds960pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)