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IRF7458 发布时间 时间:2025/5/16 17:45:21 查看 阅读:10

IRF7458是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
  IRF7458的封装形式为TO-263(DPAK),能够提供出色的散热性能和较高的电流承载能力。其设计优化了栅极电荷,从而降低了开关损耗,并提升了整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  最大功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

IRF7458具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了在高电流应用中减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度得益于优化的栅极电荷设计,适用于高频应用场景。
  3. 高额定电流(41A)支持大功率负载的需求。
  4. 宽泛的工作温度范围使其适应多种恶劣环境下的使用。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 封装形式为TO-263(DPAK),便于安装与散热管理。

应用

IRF7458广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率处理组件。
  3. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载切换和保护电路中的电子开关。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. 汽车电子系统中的大电流负载驱动。

替代型号

IRF7459, IRF7460

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IRF7458参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 14A,16V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2410pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7458