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ZXMC4559DN8TA 发布时间 时间:2025/6/18 8:37:30 查看 阅读:5

ZXMC4559DN8TA是一款高性能的低压差线性稳压器(LDO),适用于多种便携式电子设备和对电源稳定性要求较高的场景。该芯片以其低功耗、高精度和良好的热性能著称,能够为系统提供稳定且可靠的电源解决方案。
  其设计采用了先进的CMOS工艺,从而实现了极低的静态电流和较小的封装尺寸。这使得它在电池供电设备中具有显著优势,可以有效延长电池寿命。

参数

输入电压范围:1.1V~5.5V
  输出电压范围:0.8V~3.3V
  最大输出电流:500mA
  静态电流:2uA(典型值)
  压差电压:50mV(在500mA负载下)
  工作温度范围:-40℃~125℃
  封装形式:WLCSP-8

特性

1. 低静态电流:典型值仅为2uA,极大地降低了待机功耗,非常适合电池供电设备。
  2. 高精度输出电压:在整个温度和负载范围内,输出电压精度高达±1%。
  3. 快速瞬态响应:通过优化内部补偿设计,芯片能够在负载快速变化时迅速恢复稳定输出。
  4. 内置保护功能:包括过流保护、过温关断和反向电流保护,确保芯片及系统的安全性。
  5. 小型化封装:采用WLCSP-8封装,节省PCB空间,满足现代电子产品对小型化的要求。
  6. 稳定性强:即使使用小型陶瓷电容作为输出滤波电容,也能保持极高的稳定性。

应用

1. 智能手机和平板电脑中的电源管理。
  2. 可穿戴设备如智能手表、健康追踪器等。
  3. 物联网(IoT)设备,包括传感器节点和无线通信模块。
  4. 医疗电子设备,例如便携式血糖仪或脉搏血氧仪。
  5. 工业自动化设备中的低功耗控制单元。
  6. 任何需要高效、小尺寸和低功耗电源解决方案的应用场景。

替代型号

AP2112K-3.3TRG1
  LP38675-3.3/NOPB
  LM1117-3.3
  TLV755P33DBVR

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ZXMC4559DN8TA参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A,2.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1063pF @ 30V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMC4559DN8TR