类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：0.3A（常温下）
　　导通电阻(Rds(on))：约4Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92

1N60/CJD01N60 MOSFET具有多项优良的电气特性，首先是其高达600V的漏源耐压能力，使其适用于高压开关应用。其导通电阻约为4Ω，在Vgs=10V条件下能够提供良好的导通性能，降低了导通损耗。该器件具有较低的输入电容和反馈电容，有利于在高频开关电路中减少开关损耗。
　　此外，1N60/CJD01N60具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，最大工作温度可达+150°C。其封装形式为TO-92，便于安装和散热设计。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V左右即可完全导通，适用于常见的驱动电路设计。
　　该器件还具备较强的抗过载能力，能够在短时间承受较高的电流冲击，提升了系统可靠性。由于其结构简单且封装成熟，1N60/CJD01N60具有较长的使用寿命和较高的稳定性，适合于多种电源转换和功率控制应用场景。

1N60/CJD01N60 MOSFET主要用于高压、低电流的功率开关应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动控制电路、照明镇流器以及各种工业控制设备中的功率开关部分。该器件的高压特性和适中的导通电阻使其特别适合用于反激式电源转换器和小型电源模块中。
　　此外，1N60/CJD01N60也可用于信号切换、负载开关控制以及电源管理系统中的隔离和保护电路。由于其封装形式小巧且价格低廉，该器件在消费类电子产品、家电控制电路、汽车电子系统中也有广泛应用。
　　在某些特定的高频功率转换应用中，例如LED驱动电源和小型逆变器中，该MOSFET也能够提供良好的性能表现。其稳定的电气特性和良好的热管理能力，使其成为许多中高压功率应用中的理想选择。

2N60, 3N60, FQP1N60