时间：2025/4/30 16:08:23
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ZXMC3F31DN8 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款 MOSFET 具有出色的电气性能和可靠性，适用于多种工业和消费类电子应用中。其封装形式为 SOT-23 小型封装，非常适合对空间要求较高的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：95mΩ（典型值，@ Vgs=4.5V）
总栅极电荷：6nC
输入电容：105pF
输出电容：28pF
反向传输电容：5pF
结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高效的开关性能，可显著降低导通损耗和开关损耗。
2. 极低的导通电阻，适合大电流应用。
3. 小型化的 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 快速开关速度，减少电磁干扰 (EMI) 的产生。
5. 优异的热稳定性和可靠性，适用于严苛的工作环境。
6. 支持高频开关操作，满足现代电力电子系统的高效率需求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换。
6. LED 驱动电路中的电流控制元件。
IRLML6402, AO3400, FDMC881
