时间：2025/6/14 17:40:14
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NTD5805NT4G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用TO-263-3表面贴装封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于各种高效能开关应用。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达71A（在特定条件下）。NTD5805NT4G广泛用于电机驱动、负载切换、DC-DC转换器以及其他功率管理领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263-3
额定电压：30V
最大连续漏极电流：71A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：29nC（典型值）
总功耗：128W（Ta=25°C）
工作结温范围：-55°C至175°C
NTD5805NT4G具备非常低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该器件具有较高的雪崩击穿能力，增强了其在异常条件下的可靠性。
其快速开关速度和较低的栅极电荷使其非常适合高频开关应用。
同时，NTD5805NT4G采用无铅设计，并符合RoHS标准，确保环保要求得到满足。
此外，其紧凑的封装形式也使得它成为高密度电路设计的理想选择。
该MOSFET常用于多种工业及消费电子领域：
1. 电机驱动与控制，例如步进电机和直流无刷电机驱动。
2. 各类负载切换电路，如电池保护和电源分配。
3. 开关模式电源（SMPS），包括降压和升压转换器。
4. 汽车电子中的继电器替代方案。
5. 高效同步整流器设计。
6. 多种功率转换和管理应用中作为关键开关元件。
NTD5805N
IRFZ44N
FDP5800
STP70NF06
