IP113FLF 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高性能、低功耗的射频(RF)功率晶体管,主要用于无线通信系统中的射频放大器应用。该器件采用先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,具有高效率、高增益和良好的热稳定性,适用于基站、无线基础设施、工业和医疗射频设备等高要求的应用场景。IP113FLF 提供了优异的线性度和稳定性,能够在高频段(如UHF、L波段)下提供高输出功率。
类型:射频功率晶体管
制造商:Infineon Technologies
技术:LDMOS
频率范围:典型工作频率范围为 800 MHz 至 1 GHz
输出功率:113 W(典型值)
增益:约 18 dB
效率:典型值为 60%
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
电源电压:通常为 +28V
热阻(Rth):低热阻设计,确保良好的散热性能
IP113FLF 的核心特性之一是其基于 LDMOS 技术的高效能设计,使其在高频应用中表现出色。该晶体管在工作频率范围内(如 800 MHz 至 1 GHz)能够提供高达 113W 的输出功率,并保持良好的线性度和稳定性。其高增益(约 18dB)特性降低了对前级放大器的需求,从而简化了系统设计。
此外,IP113FLF 采用了 TO-247 封装,具备良好的散热性能,有助于提高器件在高功率运行时的可靠性。其热阻(Rth)设计较低,使得热量能够快速传导到外部散热器,从而延长器件寿命。
该器件在 +28V 电源电压下工作,支持多种无线通信标准,包括 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等,适用于多模式、多频段的无线基础设施应用。
IP113FLF 还具备优异的抗失真能力,适用于需要高信号保真度的应用,如基站发射器和工业射频加热设备。
IP113FLF 主要用于以下领域:
? 无线通信基站中的射频功率放大器模块
? 工业与医疗射频加热设备
? 高频测试设备与信号发生器
? 广播电视发射机中的射频放大电路
? 多频段、多模式无线通信系统
? 高功率 UHF 和 L 波段通信设备
BLF188X
RD113F
RD113FLF
CMRD113F