IP113FLF 时间：2025/7/30 23:51:12 阅读：44

IP113FLF 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高性能、低功耗的射频（RF）功率晶体管，主要用于无线通信系统中的射频放大器应用。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高效率、高增益和良好的热稳定性，适用于基站、无线基础设施、工业和医疗射频设备等高要求的应用场景。IP113FLF 提供了优异的线性度和稳定性，能够在高频段（如UHF、L波段）下提供高输出功率。

参数

类型：射频功率晶体管
　　制造商：Infineon Technologies
　　技术：LDMOS
　　频率范围：典型工作频率范围为 800 MHz 至 1 GHz
　　输出功率：113 W（典型值）
　　增益：约 18 dB
　　效率：典型值为 60%
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电源电压：通常为 +28V
　　热阻（Rth）：低热阻设计，确保良好的散热性能

特性

IP113FLF 的核心特性之一是其基于 LDMOS 技术的高效能设计，使其在高频应用中表现出色。该晶体管在工作频率范围内（如 800 MHz 至 1 GHz）能够提供高达 113W 的输出功率，并保持良好的线性度和稳定性。其高增益（约 18dB）特性降低了对前级放大器的需求，从而简化了系统设计。
　　此外，IP113FLF 采用了 TO-247 封装，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率运行时的可靠性。其热阻（Rth）设计较低，使得热量能够快速传导到外部散热器，从而延长器件寿命。
　　该器件在 +28V 电源电压下工作，支持多种无线通信标准，包括 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等，适用于多模式、多频段的无线基础设施应用。
　　IP113FLF 还具备优异的抗失真能力，适用于需要高信号保真度的应用，如基站发射器和工业射频加热设备。