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ZXMC3A18DN8TA 发布时间 时间:2025/6/3 12:07:18 查看 阅读:7

ZXMC3A18DN8TA 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为开关和功率管理应用设计。该器件采用先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关性能,从而减少功率损耗并提高效率。其封装形式为 DFN8,适合高密度组装需求,并广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
  这款 MOSFET 主要用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块等。通过优化的芯片设计,ZXMC3A18DN8TA 在各种工作条件下都能表现出卓越的稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4.5A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:7nC
  总功耗:1W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:DFN8
  引脚间距:0.65mm

特性

ZXMC3A18DN8TA 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,有助于减少开关损耗。
  3. 高电流承载能力,在额定电流范围内保持稳定的性能。
  4. 宽工作温度范围,能够在极端环境下可靠运行。
  5. 小型化封装(DFN8),支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度电路板设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

ZXMC3A18DN8TA 广泛适用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电源管理系统,如智能手机和平板电脑。
  2. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
  3. 通信基础设施中的信号调节和功率转换。
  4. 计算机及外设中的负载开关和保护电路。
  5. 可穿戴设备及其他便携式设备的电池管理单元。
  6. 各种 DC-DC 转换器和降压/升压电路中的核心元件。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDMC6670

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ZXMC3A18DN8TA参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.8A,4.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 5.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMC3A18DN8TA-NDZXMC3A18DN8TR