ZXMC3A18DN8TA 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为开关和功率管理应用设计。该器件采用先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关性能,从而减少功率损耗并提高效率。其封装形式为 DFN8,适合高密度组装需求,并广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。
这款 MOSFET 主要用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块等。通过优化的芯片设计,ZXMC3A18DN8TA 在各种工作条件下都能表现出卓越的稳定性和可靠性。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:4.5A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:7nC
总功耗:1W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:DFN8
引脚间距:0.65mm
ZXMC3A18DN8TA 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低导通损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,有助于减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,在额定电流范围内保持稳定的性能。
4. 宽工作温度范围,能够在极端环境下可靠运行。
5. 小型化封装(DFN8),支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和高密度电路板设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
ZXMC3A18DN8TA 广泛适用于以下领域:
1. 消费类电子产品中的电源管理系统,如智能手机和平板电脑。
2. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
3. 通信基础设施中的信号调节和功率转换。
4. 计算机及外设中的负载开关和保护电路。
5. 可穿戴设备及其他便携式设备的电池管理单元。
6. 各种 DC-DC 转换器和降压/升压电路中的核心元件。
IRLZ44N, AO3400A, FDMC6670