FMA08N50E 时间：2025/8/9 15:04:58 阅读：37

FMA08N50E 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作，具备较低的导通电阻和较高的效率，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、马达控制器以及各种高功率电子设备中。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）@25°C：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FMA08N50E 具备多项优异的电气性能和热稳定性，适用于高功率密度设计。其主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定工作，具备良好的散热能力。
　　该器件的封装形式为 TO-220，便于安装在标准散热片上，以提高散热效果。FMA08N50E 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，适用于多种栅极驱动电路设计。
　　其漏源击穿电压为 500V，可承受较高的电压应力，适用于高电压输入的应用场景。同时，该 MOSFET 具备快速开关能力，可减少开关损耗，提高系统效率。
　　此外，FMA08N50E 还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在短时间过载或突波电压条件下保持稳定运行，增强系统的可靠性和耐用性。

应用

FMA08N50E 广泛应用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电池充电器、马达控制电路以及工业自动化设备。该器件特别适合用于需要高效率、高稳定性和高功率密度的电源管理系统。
　　在电源转换器中，FMA08N50E 可用于主开关元件，实现高效的能量转换。其低导通电阻和高耐压能力使其成为高频开关电源的理想选择。在马达控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路，实现电机的正反转控制以及调速功能。
　　此外，该器件还可用于 LED 驱动器、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）等高功率电子系统中，提供稳定的开关控制和高效的能量传输。