时间：2025/12/26 8:59:52
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ZXMC3A17DN8TA是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件适用于多种电源管理应用，尤其是在空间受限的便携式电子产品中表现出色。其封装形式为DFN2020-8（双扁平无引脚8引脚），尺寸紧凑，有助于减小PCB占用面积，同时具备良好的热性能，适合高密度布局设计。
该MOSFET设计用于在低电压逻辑控制下实现高效的功率开关功能，支持负压关断能力，增强了系统在复杂工作环境下的可靠性。ZXMC3A17DN8TA符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101汽车级认证，表明其具备在严苛环境下稳定工作的能力，适用于汽车电子、工业控制以及消费类电子设备中的负载开关、电池管理、电源路径控制等场景。
该器件的栅极阈值电压较低，能够与3.3V或5V逻辑电平直接兼容，无需额外的驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，其出色的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压特性使其在电机驱动和电源反向保护等应用中表现优异。由于采用了先进的封装散热设计，即使在高电流负载条件下也能保持较低的工作温度，延长了系统的使用寿命。
类型：P沟道
极性：增强型
漏源电压(VDSS)：-20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-4.6A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：-12A
导通电阻(RDS(on))：21mΩ @ VGS = -4.5V
导通电阻(RDS(on))：27mΩ @ VGS = -2.5V
导通电阻(RDS(on))：34mΩ @ VGS = -1.8V
栅极阈值电压(VGS(th))：-0.85V ~ -1.4V
输入电容(Ciss)：420pF @ VDS = 10V
反向恢复时间(trr)：18ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：DFN2020-8
安装类型：表面贴装(SMT)
ZXMC3A17DN8TA采用先进的沟槽MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了能效。在VGS = -4.5V时，其典型RDS(on)仅为21mΩ，即便在较低的驱动电压如-2.5V或-1.8V下仍能维持较低的导通阻抗，确保在电池供电设备中即使电压下降仍可高效运行。这种低RDS(on)特性对于降低系统温升、提升功率密度至关重要。
该器件具备优良的开关性能，输入电容Ciss仅为420pF，在高频开关应用中可减少驱动功耗，提高响应速度。同时，较短的反向恢复时间trr（18ns）意味着体二极管具有较快的关断能力，有助于减少交叉导通风险，尤其在同步整流或H桥驱动电路中表现更优。此外，其栅极电荷Qg低，进一步降低了驱动所需的能量，提升了整体转换效率。
热性能方面，DFN2020-8封装底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔有效将热量传导至内层或地平面，实现良好的散热效果。结合高达+150°C的最大结温，该器件可在高温环境中长期稳定工作，适用于密闭或通风不良的设备内部。
ZXMC3A17DN8TA还具备强大的鲁棒性，包括高雪崩能量耐受能力、优秀的ESD防护等级以及抗闩锁设计，能够在电源插拔、负载突变或静电放电等异常工况下保持安全可靠运行。这些特性使其不仅适用于常规电源开关，也广泛应用于车载信息娱乐系统、电动工具、无线耳机充电仓、USB PD电源管理模块等对可靠性和效率要求较高的场合。
ZXMC3A17DN8TA常用于各类低电压、中等电流的功率开关场景。典型应用包括便携式电子设备中的电池电源管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充放电控制与电源路径切换。在此类应用中，该MOSFET可作为高端或低端开关，实现对主电源与备用电源之间的无缝切换，防止反向电流流动并优化能耗。
在汽车电子领域，它被广泛用于车身控制模块、车灯驱动、车窗升降器控制电路以及车载充电器中的负载开关，得益于其AEC-Q101认证和宽工作温度范围，能够适应发动机舱内的高温环境及频繁的电压波动。
工业控制系统中，该器件可用于PLC输出模块、继电器替代方案、电机驱动电路中的续流保护以及DC-DC转换器的同步整流部分。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高系统响应速度和能源利用率。
此外，在消费类电子产品如蓝牙音箱、智能家电、无人机电源管理系统中，ZXMC3A17DN8TA也发挥着关键作用，特别是在需要小型化设计和高效能转换的应用中，其紧凑的DFN封装和高性能参数成为理想选择。
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"ZXM61P03DN8TC",
"DMG2302UKS-7",
"SI2301-ADJ",
"FDN340P",
"AP2301GNTR-G1"
]
