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ZXM66N03N8TA 发布时间 时间:2023/8/18 17:17:23 查看 阅读:329

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 7.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-
功率 - 最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(3.9mm 宽)
包装:Digi-Reel?
供应商设备封装:*
其它名称:ZXM66N03N8DKR

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ZXM66N03N8TA参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 7.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称ZXM66N03N8DKR