类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-6A
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-223
　　导通电阻（RDS(ON)）：最大值为33mΩ（在VGS = -10V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.1V至-2.5V

ZXM63P03XTA MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，提供极低的导通电阻（RDS(ON)），从而降低了导通状态下的功率损耗并提高了效率。
　　其P沟道结构使其非常适合用于高边开关应用，例如电源管理、负载开关和DC-DC转换器。
　　该器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于需要较高可靠性的工业和汽车应用。
　　ZXM63P03XTA采用SOT-223封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，便于在空间受限的设计中使用。
　　此外，该器件具有较高的抗静电能力（ESD）和良好的瞬态电压抑制能力，确保在恶劣环境下的稳定运行。

ZXM63P03XTA广泛应用于各种电子设备和系统中，包括电源管理模块、电池供电设备、负载开关、DC-DC转换器、工业控制系统、汽车电子系统以及消费类电子产品。
　　在电源管理系统中，它可用于高效能的开关应用，确保稳定的电源分配和管理。
　　在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和移动设备，该器件可用于电池保护和电源管理电路，提高能效并延长电池寿命。
　　在负载开关应用中，ZXM63P03XTA可实现快速、可靠的开关控制，减少功率损耗并提高系统稳定性。
　　此外，该器件还可用于工业自动化设备、电机驱动和LED照明控制等应用，满足多样化的电子设计需求。

ZXM63P03F, ZXMP6A13F, FDMS3610S, AO4403