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ZXM62N02E6TA 发布时间 时间:2023/8/14 18:01:22 查看 阅读:258

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2.2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):700mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6.3nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :460pF @ 15V
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6
包装:Digi-Reel?
供应商设备封装:*
其它名称:ZXM62N02E6DKR

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ZXM62N02E6TA参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压20 V
  • 闸/源击穿电压+/- 12 V
  • 漏极连续电流3.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.125 Ohms
  • 配置Single
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23-6
  • 封装Reel
  • 下降时间10.4 ns
  • 功率耗散1.1 W
  • 上升时间10.4 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间16.9 ns