时间：2025/5/9 9:30:45
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ZXM61P02F 是一款由 ZETEX（现已被 Diodes 公司收购）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点，适用于各种便携式设备和空间受限的应用场景。由于其小型化设计和高性能表现，ZXM61P02F 在消费电子、通信设备以及工业控制领域得到了广泛应用。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：2A
导通电阻(RDS(on))：0.8Ω（典型值，在 VGS=4.5V 时）
栅极电荷(Qg)：3nC（典型值）
开关时间：ton=15ns，toff=18ns（典型值）
工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
ZXM61P02F 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻确保了高效率的功率转换，同时减少了发热。
2. 快速的开关速度使其适合高频应用，例如 DC-DC 转换器和负载开关。
3. SOT-23 封装体积小，非常适合对空间要求严格的设计。
4. 高雪崩耐量能力提升了器件在异常条件下的可靠性。
5. 完全符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 稳定的工作温度范围使得该器件能够在多种环境下可靠运行。
ZXM61P02F 广泛应用于以下领域：
1. 便携式电子设备中的负载开关和保护电路。
2. 各种 DC-DC 转换器和电源管理模块。
3. 开关模式电源（SMPS）中的初级或次级侧开关元件。
4. 工业自动化系统中的信号切换和驱动电路。
5. 通信设备中的功率管理单元。
6. 电池供电设备中的高效功率传输路径控制。
BSS138
2N7002
FDC6532
AO3400
