类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.6mΩ
　　栅极电荷（QG）：7.5nC
　　输入电容（Ciss）：1020pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：四方扁平无引线封装（QFN）
　　功率耗散（PD）：90W

EPC8Q100 的主要特性之一是其卓越的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）为5.6mΩ，显著减少了导通损耗，使得器件在高电流下也能保持较低的温升。此外，该晶体管具有极低的栅极电荷（QG）和输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并提高开关频率，从而实现更小的功率转换器设计。
　　EPC8Q100 采用了无引线的QFN封装技术，这种封装方式不仅减小了封装电感，还提高了器件的高频性能。同时，这种封装有助于提升热管理效率，使器件在高功率密度应用中保持良好的稳定性。
　　该器件的高工作温度耐受性（最高可达150°C）使其适用于高温环境下的电源系统。此外，EPC8Q100具备优异的短路耐受能力，提高了在突发负载变化或异常情况下的可靠性与安全性。
　　作为一款eGaN FET，EPC8Q100 还具备与传统硅基MOSFET相比更小的体积和更高的开关效率，适用于需要高效率、高频率操作的电源系统，如48V服务器电源、DC-DC变换器、机器人电源系统以及无线充电设备。

EPC8Q100 适用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、服务器电源、电信整流器、激光驱动器、机器人电源系统、无线充电系统以及高密度电源模块。其高频率操作能力使其成为高频开关电源的理想选择，能够显著减小磁性元件的体积和重量，从而提高整体系统的功率密度。
　　在服务器和数据中心电源系统中，EPC8Q100 可用于48V至负载点（PoL）的转换，实现更高的能效和更低的热量产生。在无线充电应用中，由于其低导通电阻和快速开关特性，EPC8Q100 可以显著提高能量传输效率，减少发热，从而提升用户体验。
　　此外，该器件还可用于高精度激光驱动器和工业控制系统，提供快速响应和稳定的输出性能。对于机器人系统，EPC8Q100 可以用于高效的动力驱动和能量管理系统，提升机器人运行的续航能力和效率。

EPC8Q100 的替代型号包括 EPC2045 和 GaN Systems 的 GS61004T。这些器件在性能参数和封装形式上具有相似特性，适用于类似的高功率密度和高频率应用。在替代选型时需注意电路设计兼容性和驱动条件是否匹配。