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ZXCM210TF 发布时间 时间:2025/6/6 9:04:36 查看 阅读:3

ZXCM210TF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合在高效率和紧凑设计要求下使用。
  这款MOSFET的主要特点是其优化的电气性能和封装形式,使其能够在各种工业和消费类电子产品中提供可靠的解决方案。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(典型值):1.5mΩ
  总功耗:16W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关性能,具备快速开启和关断时间,有助于减少开关损耗。
  3. 较小的Qg(栅极电荷),降低了驱动电路的设计复杂度和功耗。
  4. 提供出色的雪崩能力和抗静电能力,提高了器件的可靠性。
  5. 小型化的TO-252(DPAK)封装形式,能够节省PCB空间并简化散热设计。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关应用。
  2. 电机控制中的功率级驱动,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动。
  3. 负载开关和电池保护电路。
  4. DC/DC转换器及LED驱动电路中的功率开关元件。
  5. 工业自动化设备中的功率调节和信号隔离电路。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  AO3400

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