ZXCM210TF是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合在高效率和紧凑设计要求下使用。
这款MOSFET的主要特点是其优化的电气性能和封装形式,使其能够在各种工业和消费类电子产品中提供可靠的解决方案。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:8A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
总功耗:16W
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关性能,具备快速开启和关断时间,有助于减少开关损耗。
3. 较小的Qg(栅极电荷),降低了驱动电路的设计复杂度和功耗。
4. 提供出色的雪崩能力和抗静电能力,提高了器件的可靠性。
5. 小型化的TO-252(DPAK)封装形式,能够节省PCB空间并简化散热设计。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和主开关应用。
2. 电机控制中的功率级驱动,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. DC/DC转换器及LED驱动电路中的功率开关元件。
5. 工业自动化设备中的功率调节和信号隔离电路。
IRFZ44N
FDP5500
AO3400