工作频率范围：DC至6 GHz
　　插入损耗：典型值0.25 dB（最大0.4 dB）
　　隔离度：典型值25 dB（最小20 dB）
　　切换时间：上升时间/下降时间 < 5 ns
　　控制电压：0至5 V TTL兼容
　　功率处理能力：+30 dBm（连续波）

ZX76-WP+ 采用先进的 GaAs MMIC 技术，确保在高频段仍能保持优异的性能。其低插入损耗和高隔离度使其适用于多路复用、信号路由和测试设备等高要求场景。该器件的切换时间非常短，支持高速切换应用，例如在软件定义无线电（SDR）和雷达系统中。此外，其控制电压与 TTL 电平兼容，简化了与数字控制器的接口设计。ZX76-WP+ 的封装小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。它还具备良好的温度稳定性，在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）性能变化极小，适合在各种恶劣环境下使用。
　　ZX76-WP+ 的输入和输出端口均具备良好的阻抗匹配（通常为50Ω），减少了信号反射，提高了系统整体的信号完整性。该器件在+30 dBm的功率处理能力下，能够承受较高功率的射频信号，适用于发射路径中的开关应用。其表面贴装封装（SOT-26）不仅节省空间，还提高了生产制造的效率和可靠性。
　　此外，ZX76-WP+ 的设计确保其在高频段（最高至6 GHz）仍能保持稳定性能，适合5G通信、测试测量设备、宽带通信系统等现代高频应用。由于其高可靠性和稳定性，ZX76-WP+ 被广泛应用于工业、军事和商业射频系统中。

ZX76-WP+ 主要应用于需要高频信号切换的系统，如无线通信基础设施（包括5G基站）、软件定义无线电（SDR）、雷达和测试测量设备（如频谱分析仪、信号发生器）、卫星通信、射频自动测试设备（ATE）和工业控制系统。它也常用于需要高可靠性和高频率性能的射频前端模块中。

HMC649ALP3E, PE4259, SKY12211-374LF