ZX75-2R15-S+ 时间：2025/12/28 14:05:48 阅读：14

ZX75-2R15-S+ 是由 Mini-Circuits 公司生产的一款射频(RF)和微波领域的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET）开关。该器件主要用于射频信号切换和控制应用，适用于需要低插入损耗、高隔离度和快速开关速度的高频电路系统。该开关采用表面贴装封装技术，适合现代高频电路板的集成需求。

参数

类型：射频开关
　　工艺：GaAs FET
　　封装类型：SMT
　　频率范围：DC 至 8 GHz
　　插入损耗：典型值 0.4 dB（最大值 0.6 dB）
　　隔离度：典型值 25 dB @ 1 GHz，典型值 15 dB @ 8 GHz
　　功率处理：+30 dBm
　　控制电压：0/+5V
　　切换时间：上升时间 10 ns，下降时间 10 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +100°C

特性

ZX75-2R15-S+ 是一款高性能的 GaAs FET 开关，具备出色的射频性能和稳定性，适用于多种通信和射频测试设备。其核心特性包括较低的插入损耗和较高的隔离度，这对于在高频应用中保持信号完整性和减少信号串扰至关重要。
　　这款开关的频率范围从 DC 到 8 GHz，使其适用于从低频到微波频段的广泛应用场景。插入损耗的典型值为 0.4 dB，在高频（如 8 GHz）时仍能保持较好的性能，确保信号在传输过程中的衰减最小化。在隔离度方面，ZX75-2R15-S+ 在 1 GHz 时典型值为 25 dB，而在 8 GHz 时则保持在 15 dB 左右，这保证了在高频率下仍能有效阻止不需要的信号路径，从而提升系统性能。
　　此外，该开关支持高达 +30 dBm 的输入功率，能够在较高的功率水平下稳定运行，适合用于功率放大器控制或射频测试系统。其控制电压为 0 到 +5 V，兼容常见的 TTL 或 CMOS 控制电路，简化了与数字系统的集成。切换时间方面，上升和下降时间均为 10 ns，确保了快速的信号切换能力，适用于需要快速响应的应用场景。
　　ZX75-2R15-S+ 采用小型化表面贴装封装，适合现代高频电路的紧凑布局。其工作温度范围为 -55°C 至 +100°C，可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业、通信、航空航天等对可靠性要求较高的领域。