型号：IXTH6N120
　　制造商：Littelfuse (IXYS)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1200 V
　　最大漏极电流（Id）：6 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：24 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.0 Ω（典型值，Vgs=15V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V 至 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：260 pF（典型值，Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　最大功耗（Ptot）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXTH6N120具备出色的高压耐受能力，其1200V的漏源击穿电压使其能够在高压直流母线系统中稳定运行，适用于如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和工业电机驱动等对电压等级要求较高的场合。该器件的导通电阻相对较低，在Vgs=15V条件下典型值仅为3.0Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。低Rds(on)也意味着在相同负载条件下产生的热量更少，有助于简化热管理设计，延长系统寿命。
　　该MOSFET具有优良的开关特性，输入和输出电容较小，使得其在高频开关应用中表现出色。1100pF的输入电容和260pF的输出电容确保了快速的栅极驱动响应，减少了开关延迟和上升/下降时间，从而降低了开关损耗。这对于工作频率在数十kHz甚至更高的开关电源和DC-DC变换器至关重要。此外，其45ns的体二极管反向恢复时间较短，有助于减少换流过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统可靠性。
　　IXTH6N120采用TO-247封装，具有较大的金属背板，便于安装散热器，有效传导热量，保证器件在高功率密度下长期稳定运行。该封装还提供了良好的电气隔离和机械强度，适用于工业级严苛环境。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度条件下正常工作，适应户外或高温工业场景。
　　该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位感性关断（UIS）事件中承受一定的能量冲击，增强了系统在异常工况下的安全性。其栅氧层设计坚固，可承受±20V的栅源电压，防止因驱动电路波动导致的栅极击穿。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。

IXTH6N120广泛应用于多种高电压、中等电流的电力电子系统中。在工业领域，常用于中等功率的交流-直流（AC-DC）和直流-交流（DC-AC）变换器，作为主开关器件实现高效的能量转换。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧升压或H桥逆变拓扑，处理来自太阳能面板的高电压直流输入，并将其转换为并网交流电。由于其高耐压和良好的开关性能，特别适合于串式或微型逆变器设计。
　　在电机控制方面，IXTH6N120可用于中功率永磁同步电机（PMSM）或感应电机的驱动电路中，作为桥臂开关元件参与脉宽调制（PWM）控制，实现精确的速度与转矩调节。其快速开关能力有助于减少电机谐波损耗，提高运行效率。
　　此外，该器件适用于高频开关电源（SMPS）、离线式电源、高压DC-DC变换器以及感应加热设备中的功率级设计。在感应加热应用中，其高耐压和快速开关特性可支持谐振拓扑（如LLC或串联谐振）的高效运行，满足电磁炉、金属熔炼等设备的需求。
　　其他应用场景还包括不间断电源（UPS）、电焊机电源模块、高压照明镇流器以及电动汽车充电基础设施中的辅助电源单元。其高可靠性和宽温区工作能力也使其适用于轨道交通、工业自动化和可再生能源系统等对安全性和稳定性要求极高的领域。

IXTH6N120XK
　　IXFN6N120
　　IXTH8N120