型号：ZX-EDR5T
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N 通道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8.5A（在TC=70°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：34A
　　导通电阻 RDS(on)：10mΩ（当 VGS = 10V）
　　RDS(on) 最大值：13mΩ（当 VGS = 10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：920pF（在 VDS=15V 时）
　　输出电容（Coss）：260pF（在 VDS=15V 时）
　　反向传输电容（Crss）：55pF（在 VDS=15V 时）
　　总栅极电荷（Qg）：14nC（在 VDS=15V, ID=8.5A, VGS=10V 时）
　　上升时间（tr）：13ns
　　下降时间（tf）：10ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN2020-6

ZX-EDR5T 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，从而实现了更高的能效表现。其超低的 RDS(on) 值（典型值仅为 10mΩ）确保在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，减少发热，提升系统可靠性。器件的栅极电荷（Qg）非常低，仅为 14nC，在高频开关应用中可有效降低驱动损耗，提高转换效率，特别适用于同步整流、降压/升压变换器等对动态响应要求较高的场合。
　　该器件具有出色的热性能，得益于 DFN2020-6 小型封装设计中的底部散热焊盘，能够通过 PCB 实现高效的热量传导，即使在紧凑布局下也能维持稳定的工作温度。此外，ZX-EDR5T 的输入、输出和反向传输电容均经过优化，有助于减小噪声干扰并改善电磁兼容性（EMC），适合用于对信号完整性要求较高的系统中。
　　其阈值电压范围适中（1.0V~2.5V），支持逻辑电平驱动，能够直接由微控制器或低压驱动电路控制，简化了外围设计。同时，器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中提供一定的自我保护功能。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，进一步提升了在感性负载切换时的安全性与效率。整体来看，ZX-EDR5T 在性能、尺寸与可靠性之间达到了良好平衡，是现代高效电源设计的理想选择之一。

ZX-EDR5T 广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电池电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，作为负载开关或电池隔离开关使用，能够快速接通或断开供电路径，防止漏电并延长续航时间。
　　在 DC-DC 转换器拓扑结构中，特别是同步降压（Buck）和升压（Boost）电路中，ZX-EDR5T 可作为主开关或同步整流管，凭借其低 RDS(on) 和低 Qg 特性，显著提升转换效率，减少能量损失。它也适用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的 H 桥驱动，提供快速响应和低导通损耗。
　　此外，该器件可用于 LED 驱动电源、热插拔控制器、USB 电源开关以及各种工业控制板上的功率分配单元。由于其小型化封装，非常适合高密度 PCB 布局，广泛服务于消费电子、工业自动化、电信设备和物联网终端设备等领域。对于需要在有限空间内实现高性能功率控制的设计而言，ZX-EDR5T 提供了一个极具竞争力的解决方案。

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