类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-50V
　　连续漏极电流（ID）：-500mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-1.5A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：550mΩ（@ VGS = -10V）；850mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：220pF（@ VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：30pF（@ VDS=10V）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　安装方式：表面贴装

ZVP0545GTA采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备优异的电学性能和热稳定性，特别适合用于低功耗、高密度的电源管理系统中。其P沟道结构允许在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现有效控制，从而简化了电源设计并降低了外围元件数量。该器件的阈值电压较低，典型值约为-1.6V，确保在低电压控制信号下仍能可靠导通，支持3.3V甚至更低逻辑电平的直接驱动，增强了与现代微控制器和数字逻辑电路的兼容性。
　　在导通电阻方面，ZVP0545GTA在VGS = -10V时的RDS(on)最大为550mΩ，在VGS = -4.5V时为850mΩ，这一水平在同类SOT-23封装P沟道MOSFET中处于较优水平，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统能效。同时，其较小的输入电容（Ciss = 220pF）和反向传输电容（Crss = 30pF）使得开关速度较快，开关损耗较低，适用于高频开关应用如同步整流或快速响应的负载切换场景。
　　热性能方面，尽管SOT-23封装尺寸较小，但ZVP0545GTA经过优化设计，能够承受一定的功率耗散，在自由空气环境中最大功耗约为350mW，结温范围从-55°C到+150°C，满足工业级应用需求。器件内部具有良好的热耦合能力，可通过PCB铜箔进行有效散热，进一步提升长期运行的可靠性。
　　此外，ZVP0545GTA具备良好的抗静电能力（ESD保护），并通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）等，确保在复杂电磁环境和温度变化条件下仍保持稳定工作。其无铅、无卤素的设计也符合当前绿色电子产品的环保趋势，适用于医疗设备、通信模块、智能家居设备等多种对安全性和环保性有较高要求的应用领域。

ZVP0545GTA广泛应用于各类低电压、低电流的开关与电源管理电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电开关，用于控制电池向主系统的供电通断，防止待机状态下不必要的能量消耗；也可作为负载开关，用于管理不同功能模块的电源分配，例如在智能手机或平板电脑中控制显示屏、传感器或外设接口的供电。
　　在DC-DC转换器中，ZVP0545GTA可用于同步整流或高边开关配置，特别是在非隔离式降压（Buck）变换器中，作为上管MOSFET使用，配合控制器实现高效能量转换。由于其可由3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需复杂的驱动电路，因此非常适合集成在小型电源模块中。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路中的低端开关、LED驱动控制、热插拔电路保护以及各类模拟开关应用。在工业控制系统中，ZVP0545GTA可用于继电器驱动、信号通断控制等场合，提供快速响应和低功耗操作。
　　得益于SOT-23的小型封装，它也被广泛用于空间受限的高密度PCB布局中，如可穿戴设备、物联网终端节点、无线传感器网络等新兴应用领域。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子中的辅助电源管理模块，尤其是在低温启动和高温运行环境下表现出良好稳定性。

ZVP2110A
　　FMMT718
　　DMG2302U