RCH110NP-102K 是一款多层陶瓷电容器(MLCC),属于NP0(C0G)温度补偿型电容器。该系列电容器以高稳定性和低损耗著称,适用于需要高精度和稳定性的电路设计,尤其是在高频和高温环境下。该型号的标称电容为1000pF(1nF),容差为±10%,工作温度范围通常为-55°C至+125°C,具有良好的温度稳定性和频率响应。
标称电容:1000pF(1nF)
容差:±10%
温度特性:NP0(C0G)
额定电压:50V
工作温度范围:-55°C至+125°C
封装尺寸:1812(4532公制)
介质材料:陶瓷
电极材料:镍/银(Ni/Sn)
绝缘电阻:10000MΩ min
损耗因数(DF):≤0.15%
RCH110NP-102K 的主要特性是其优异的温度稳定性,其电容值在温度变化时几乎不变,适用于要求高精度和低温度漂移的应用。该电容器具有低损耗、高Q值以及良好的频率响应,非常适合在高频电路中使用。此外,其陶瓷介质具有优异的耐高温性能,能够在高温环境下长时间稳定工作。封装尺寸为1812,适用于表面贴装技术(SMT),便于在现代高密度PCB设计中使用。其镍/银电极结构提供了良好的焊接性能和机械强度,确保长期使用的可靠性。由于其NP0特性,该电容器在电源去耦、滤波、谐振电路以及RF电路中表现出色。
RCH110NP-102K 还具备良好的长期稳定性,不会因时间推移而出现明显的电容值漂移。其低损耗特性使得在射频和模拟电路中可以有效减少信号损失,提高系统效率。此外,该电容器的高绝缘电阻和低漏电流特性使其适用于高阻抗电路和高精度测量设备。由于其封装尺寸较大(1812),相比小型MLCC,它还能承受更高的电压和更大的功率,适用于需要更高可靠性的工业和汽车应用。
RCH110NP-102K 广泛应用于需要高稳定性和低损耗的电子电路中,如射频(RF)滤波器、振荡器、放大器、混频器等高频电路。此外,该电容器也常用于高精度模拟电路、数据采集系统、精密测量仪器和测试设备。在工业控制和汽车电子领域,该电容器可用于电源去耦、信号滤波和时钟电路,以确保系统在高温和高振动环境下的稳定性。该电容器还适用于通信设备、医疗电子、航空航天和军事电子等对可靠性要求极高的应用场合。
VJ1812Y102KXACW1BC, C1812C102K5RACTU, GRM188R71H103KA01D