ZVN4525G是一款NPN型高频小信号晶体管,专为低噪声和高增益应用设计。该晶体管采用先进的半导体制造工艺,具有优异的电气性能和可靠性。它适用于各种射频(RF)和中频(IF)放大器、混频器以及振荡器电路等场景。其封装形式通常为SOT-23小型表面贴装封装,非常适合对空间要求严格的电子设备。
集电极-发射极电压(Vce):30V
集电极电流(Ic):0.1A
直流电流增益(hFE):60~200
特征频率(Ft):750MHz
最大耗散功率(Ptot):350mW
结电容(Cob):0.6pF
工作温度范围:-55℃~+150℃
ZVN4525G具备以下显著特性:
1. 高特征频率(Ft),支持高频操作,非常适合射频和无线通信应用。
2. 低噪声系数,确保在音频和射频放大器中的出色表现。
3. 小型SOT-23封装,节省PCB板空间,适合便携式和紧凑型设计。
4. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用需求。
5. 可靠性高,长期稳定性好,适用于商业和工业级应用。
该晶体管广泛应用于以下领域:
1. 射频(RF)和中频(IF)放大器。
2. 混频器和振荡器电路。
3. 无线通信模块和收发器。
4. 调谐器和频率合成器。
5. 音频前置放大器和其他低噪声放大应用。
ZVN4526D, ZVN4528G