时间：2025/7/16 16:39:37
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UPG2214TB-E4是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效能功率管理的场合。该芯片采用TO-220封装，具有出色的导通电阻和开关速度，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于中高电压场景，其设计旨在满足现代电子设备对小型化、高效化和低热损耗的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：43A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：88nC
总电容：1480pF
工作温度范围：-55℃至175℃
UPG2214TB-E4具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐受力。
4. 具有优异的热稳定性，在高温条件下依然保持良好的性能。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. TO-220封装形式，易于安装和散热设计。
UPG2214TB-E4广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 工业电机控制
4. 汽车电子系统
5. 电池管理系统（BMS）
6. 通信电源
7. 各种需要高效功率切换的应用场景
IRFZ44N, STP40NF06L, FDP15U20AB
