ZVN4525E6 时间：2025/6/22 2:11:09 阅读：5

ZVN4525E6是一种N沟道增强型垂直功率MOSFET，由 Vishay 公司生产。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。其设计旨在提供高效率和低功耗性能，适用于需要高性能功率管理的场合。
　　这种MOSFET的主要特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下保持高效能表现。同时，它还具备良好的热特性和较高的电流处理能力，使其在功率电子领域具有广泛的适用性。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻：12mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　开关时间：ton=17ns, toff=23ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃

特性

ZVN4525E6具备以下几个显著特性：
　　1. 低导通电阻：12mΩ（典型值，在Vgs=10V时），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流能力：支持高达28A的连续漏极电流，能够应对大功率应用需求。
　　3. 快速开关速度：较小的栅极电荷（39nC）使得器件能够在高频条件下工作，适合开关电源和高频DC-DC转换器。
　　4. 良好的热稳定性：即使在高温环境下，也能保证稳定运行，最高结温可达175℃。
　　5. 坚固耐用：采用了坚固的设计以应对严苛的工作条件，包括浪涌电流和瞬态电压冲击。

应用

ZVN4525E6主要应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）：用于功率因数校正（PFC）电路或主功率级开关。
　　2. DC-DC转换器：作为同步整流器或主开关使用。
　　3. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）或其他类型的电机控制。
　　4. 负载开关：在便携式设备中用作高效的负载切换元件。
　　5. 工业自动化：可用于各种工业控制设备中的功率调节和驱动部分。