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ZVN4424A 发布时间 时间:2025/12/26 9:09:45 查看 阅读:10

ZVN4424A是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于中低功率开关和模拟信号处理电路中。该器件采用高效率的平面技术制造,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适合在多种电源管理和信号切换应用中使用。ZVN4424A通常被封装在SOT-23或类似的小型表面贴装封装中,使其非常适合空间受限的便携式电子设备。该MOSFET的设计旨在提供快速的开关响应、低栅极电荷以及较高的输入阻抗,从而降低驱动损耗并提高系统效率。其工作电压范围适中,能够支持逻辑电平控制,因此可直接由微控制器或其他数字逻辑电路驱动,无需额外的电平转换电路。ZVN4424A常用于电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动以及音频和射频信号切换等场景。由于其良好的线性特性和低失真性能,它也可用于模拟开关和增益控制电路中。此外,该器件具备一定的抗静电能力,并符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。
  作为一款通用型N沟道MOSFET,ZVN4424A在性价比与性能之间取得了良好平衡,是许多工程师在中小电流开关应用中的首选之一。其数据手册提供了详细的电气特性曲线,包括输出特性、转移特性、开关时间以及温度依赖性等,便于设计人员进行精确建模和仿真。为了确保可靠运行,在实际应用中建议对栅源电压进行合理限幅,并考虑适当的PCB布局以减少寄生电感和热积累。

参数

型号:ZVN4424A
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:SOT-23
  漏源电压(VDS):60 V
  栅源电压(VGS):±20 V
  连续漏极电流(ID):170 mA
  脉冲漏极电流(IDM):700 mA
  功耗(PD):350 mW
  导通电阻(RDS(on)):约 3.5 Ω @ VGS = 10 V, ID = 100 mA
  阈值电压(VGS(th)):约 0.8 V ~ 2.4 V
  栅极电荷(Qg):典型值 3.4 nC
  输入电容(Ciss):典型值 35 pF @ VDS = 10 V
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

ZVN4424A的核心优势在于其优异的开关特性和稳定的电气性能。该器件采用了先进的硅栅工艺,实现了较低的导通电阻RDS(on),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提升整体能效,尤其在电池供电系统中意义重大。其典型的RDS(on)为3.5Ω,在VGS=10V且ID=100mA条件下表现稳定,意味着在轻载工况下仍能保持高效运行。同时,该MOSFET的阈值电压范围为0.8V至2.4V,表明其可在较低的栅极驱动电压下开启,兼容多数逻辑电平输出(如3.3V或5V TTL/CMOS),无需额外的驱动电路即可实现有效控制。
  另一个关键特性是其快速的开关速度。得益于较小的栅极电荷(典型值仅3.4nC)和低输入电容(Ciss约35pF),ZVN4424A能够在高频环境下迅速完成导通与关断过程,适用于高达数百kHz的开关应用,例如小型DC-DC变换器或脉宽调制(PWM)控制电路。这种快速响应能力不仅提升了系统的动态性能,还有助于减小外围滤波元件的尺寸,进一步缩小整体电路体积。
  热稳定性方面,ZVN4424A具备良好的散热设计,最大功耗可达350mW,结温范围覆盖-55°C到+150°C,可在较宽的环境温度范围内可靠工作。SOT-23封装虽然小巧,但通过优化引脚布局和内部结构,有效提高了热传导效率。此外,该器件具有较强的抗静电放电(ESD)能力,增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。综合来看,ZVN4424A以其紧凑的封装、优良的电气特性及广泛的适用性,成为众多消费类电子、工业控制和通信设备中理想的功率开关元件。

应用

ZVN4424A广泛应用于各类需要中低电流开关功能的电子系统中。典型应用场景包括便携式电子设备中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制。在这些应用中,ZVN4424A可用于启用或禁用特定子系统的供电,从而实现节能待机模式或防止反向电流流动。此外,它也常用于DC-DC升压或降压转换器的同步整流部分,尤其是在低功率非隔离型拓扑结构中,利用其低导通电阻来替代传统二极管,显著提高转换效率。
  在信号处理领域,ZVN4424A可作为模拟开关使用,用于音频信号路由、传感器多路复用或测试测量设备中的通道选择。其较高的输入阻抗和较低的导通失真保证了信号完整性,尤其适合小信号传输场合。同时,由于其良好的线性区特性,也可用于简单的增益调节或压控电阻电路。
  其他常见应用还包括LED驱动电路中的开关控制、继电器或蜂鸣器等执行器的驱动接口、微控制器I/O扩展时的缓冲级,以及各种电池供电系统的欠压锁定(UVLO)或过流保护电路中的执行元件。凭借其SOT-23小型封装,ZVN4424A特别适合高密度PCB布局,满足现代电子产品对微型化和轻薄化的需求。

替代型号

ZVN2110A
  ZVN2120A
  FDS6670A
  2N7002
  BSS138

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ZVN4424A参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)240V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C260mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
  • 功率 - 最大750mW
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装散装