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ZVN4310GTC 发布时间 时间:2025/6/6 15:44:52 查看 阅读:4

ZVN4310GTC是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件适用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关性能的应用场景。其低导通电阻和高开关速度特性使其成为高性能功率转换的理想选择。
  该型号是飞利浦(现为恩智浦NXP)生产的经典系列之一,广泛应用于工业控制、消费电子以及汽车电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:5.8A
  脉冲漏极电流:19A
  导通电阻(典型值):100mΩ
  栅极电荷(典型值):7nC
  开关时间:ton=13ns,toff=35ns
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

ZVN4310GTC具有以下关键特性:
  1. 高效的低导通电阻设计,可显著降低功率损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频操作。
  3. 较低的输入电容和输出电容,有助于提高整体效率。
  4. 增强的热稳定性,适合在较高温度环境下工作。
  5. 内置ESD保护功能,提高了器件的可靠性和抗干扰能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。

应用

这款MOSFET主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的同步整流或主开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各种负载开关和保护电路。
  5. 车载电子设备中的电池管理与功率分配。
  6. 其他需要高效功率切换的场合。

替代型号

ZVN4311FTA, IRFZ44N, FDN368N

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ZVN4310GTC参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.67A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 3.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)