时间：2025/9/2 0:38:19
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HY27US08121M 是一款由Hynix（现为SK hynix）制造的NAND闪存芯片，广泛应用于嵌入式系统、存储设备和消费电子产品中。该芯片采用8位数据总线接口，提供较高的存储密度和可靠性，适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。
制造商：SK hynix
类型：NAND闪存
容量：128MB
数据总线宽度：8位
封装类型：TSOP
电压范围：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
接口类型：并行 NAND 接口
页面大小：512字节或2KB
块大小：16KB 或 128KB
擦写周期：10万次
数据保留时间：10年
HY27US08121M 是一款高性能的NAND闪存芯片，具有较大的存储容量和较长的使用寿命，适合用于嵌入式系统和固态存储设备。该芯片采用标准的TSOP封装，便于PCB布局和焊接，同时具备良好的电气特性和抗干扰能力。其8位并行接口设计支持高速数据访问，适用于多种主控芯片连接。
在电气特性方面，HY27US08121M 的工作电压范围为2.7V至3.6V，适应不同的电源管理系统，并具有良好的抗噪性能。芯片内部集成了错误检测和纠正机制，确保数据的完整性和可靠性。此外，该芯片支持多块擦除和随机读取功能，提高数据访问效率。
从物理特性来看，HY27US08121M 采用TSOP封装形式，尺寸小巧，适合在空间受限的设备中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境。该芯片还支持多种控制信号，包括写使能（WE）、读使能（RE）、片选（CE）和地址锁存使能（ALE），方便与各种控制器进行接口。
HY27US08121M 常用于嵌入式系统、MP3播放器、数码相机、U盘、工业控制设备和车载导航系统等产品中。由于其高可靠性和宽温工作范围，也适用于工业自动化和通信设备中的数据存储。
K9F1208U0B, K9F5608U0E, TC58NVG0S3E, NAND512W3A2B4E
