时间：2025/6/20 22:37:02
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ZVN4210GTA是一种N沟道增强型垂直DMOS功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的场合。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合高频应用。其封装形式为TO-252（DPAK），能够提供较高的电流处理能力和良好的散热性能。
作为一款高压功率MOSFET，ZVN4210GTA在设计上优化了栅极驱动特性和电气稳定性，确保在高电压和大电流条件下的可靠运行。同时，它的紧凑型表面贴装封装使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：0.17Ω
栅极阈值电压：2.5V
功耗：4.1W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，降低电磁干扰（EMI）。
3. 高击穿电压，保证在高电压环境下的稳定运行。
4. 小型表面贴装封装（TO-252），节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
6. 良好的热性能，提升器件长期工作的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 电池保护电路。
5. 照明系统中的调光控制。
6. 各种消费类电子设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDN337N, ZXTN20F30
