LBAS16BST5G 时间：2025/8/14 0:05:40 阅读：4

LBAS16BST5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管阵列器件，属于达林顿晶体管对管类型。该器件包含两个独立的达林顿晶体管对，每个对由两个NPN晶体管组成，提供高电流增益和高集电极-发射极电压能力。LBAS16BST5G 主要用于需要高增益、高电压和高电流处理能力的应用，如继电器驱动、马达控制、LED显示屏和工业自动化系统等。

参数

类型：达林顿晶体管对管
　　集电极-发射极电压（Vce）：80V
　　集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　电流增益（hFE）：最高可达50000
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23-6
　　安装类型：表面贴装
　　最大功率耗散：300mW
　　晶体管数量：2个独立达林顿对

特性

LBAS16BST5G 的主要特性之一是其高电流增益，这对于需要放大微弱信号以驱动负载的应用非常重要。达林顿对结构由两个NPN晶体管组成，第一个晶体管的发射极连接到第二个晶体管的基极，从而形成一个级联放大结构。这种设计使得整体电流增益为两个晶体管增益的乘积，显著提高了输出能力。此外，该器件的集电极-发射极电压高达80V，使其适用于高电压应用场景。
　　该晶体管的封装为SOT-23-6，这种小型封装适合高密度PCB布局，同时具备良好的热性能，有助于在高电流条件下保持稳定运行。LBAS16BST5G 还具备较强的温度适应能力，工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车电子应用环境。
　　另外，LBAS16BST5G 的低饱和电压特性有助于减少功率损耗，提高能效。该器件在开关应用中表现优异，具有快速响应和低延迟的特性，适合用于数字控制电路和PWM（脉宽调制）控制应用。

应用

LBAS16BST5G 常用于需要高电流增益和高电压处理能力的电路中。其典型应用包括继电器和马达驱动电路，其中高增益特性可以有效减少控制信号的功率需求。在LED显示屏和照明系统中，该器件可以用于驱动多个LED串，提供稳定的电流输出。此外，LBAS16BST5G 也适用于工业自动化系统中的信号放大和控制电路，以及汽车电子系统中的传感器和执行器驱动。
　　在嵌入式系统和微控制器应用中，LBAS16BST5G 可作为缓冲器或驱动器，将微弱的控制信号放大以驱动高功率负载。该器件也可用于音频放大器的前置放大级，提供高增益放大效果。