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ZVN4210G 发布时间 时间:2025/5/10 10:43:52 查看 阅读:20

ZVN4210G是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用TO-252封装形式,具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特点。
  该MOSFET的主要功能是作为电子开关或放大器使用,在各类电力电子设备中起到关键作用。

参数

型号:ZVN4210G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  Vds(漏源极间电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):1.2Ω(最大值,25℃)
  Id(持续漏极电流):3A
  Vgs(th)(栅源开启电压):1V~2.5V
  f(工作频率):高达1MHz
  功耗:1.08W(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

ZVN4210G具有以下主要特性:
  1. 高效的低导通电阻设计,能够减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 支持较高的开关频率,适用于高频开关应用场合。
  3. 小型化的TO-252封装,便于安装和散热管理。
  4. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件下的稳定运行。
  5. 内置ESD保护功能,提高器件抗静电能力。
  6. 符合RoHS环保标准,满足现代绿色电子产品的要求。

应用

ZVN4210G适合多种应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)中的开关元件。
  3. 电池充电管理系统中的负载开关。
  4. 消费类电子产品中的过流保护电路。
  5. 小型电机驱动器中的功率开关。
  6. 各种便携式设备中的高效能开关解决方案。

替代型号

ZVN4211G, ZVN4209G

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