ZVN4210G 时间：2025/5/10 10:43:52 阅读：31

ZVN4210G是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用TO-252封装形式，具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特点。
　　该MOSFET的主要功能是作为电子开关或放大器使用，在各类电力电子设备中起到关键作用。

参数

型号：ZVN4210G
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　Vds（漏源极间电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻）：1.2Ω（最大值，25℃）
　　Id（持续漏极电流）：3A
　　Vgs(th)（栅源开启电压）：1V~2.5V
　　f（工作频率）：高达1MHz
　　功耗：1.08W（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

ZVN4210G具有以下主要特性：
　　1. 高效的低导通电阻设计，能够减少功率损耗并提升系统效率。
　　2. 支持较高的开关频率，适用于高频开关应用场合。
　　3. 小型化的TO-252封装，便于安装和散热管理。
　　4. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件下的稳定运行。
　　5. 内置ESD保护功能，提高器件抗静电能力。
　　6. 符合RoHS环保标准，满足现代绿色电子产品的要求。

应用

ZVN4210G适合多种应用领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）中的开关元件。
　　3. 电池充电管理系统中的负载开关。
　　4. 消费类电子产品中的过流保护电路。
　　5. 小型电机驱动器中的功率开关。
　　6. 各种便携式设备中的高效能开关解决方案。