ZVN4210G是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用TO-252封装形式,具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特点。
该MOSFET的主要功能是作为电子开关或放大器使用,在各类电力电子设备中起到关键作用。
型号:ZVN4210G
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源极间电压):30V
Rds(on)(导通电阻):1.2Ω(最大值,25℃)
Id(持续漏极电流):3A
Vgs(th)(栅源开启电压):1V~2.5V
f(工作频率):高达1MHz
功耗:1.08W(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
ZVN4210G具有以下主要特性:
1. 高效的低导通电阻设计,能够减少功率损耗并提升系统效率。
2. 支持较高的开关频率,适用于高频开关应用场合。
3. 小型化的TO-252封装,便于安装和散热管理。
4. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件下的稳定运行。
5. 内置ESD保护功能,提高器件抗静电能力。
6. 符合RoHS环保标准,满足现代绿色电子产品的要求。
ZVN4210G适合多种应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)中的开关元件。
3. 电池充电管理系统中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的过流保护电路。
5. 小型电机驱动器中的功率开关。
6. 各种便携式设备中的高效能开关解决方案。
ZVN4211G, ZVN4209G