ZVN4206E是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效、高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供了低导通电阻和高开关性能,适用于低电压和中等电流的控制场景。ZVN4206E封装在SOT-223封装中,便于在各种电路设计中使用。
类型:N沟道
漏极-源极电压(Vds):60V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):200mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-223
ZVN4206E的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),能够在低电压条件下实现高效的功率传输。这使得该器件在需要低功耗的电源管理应用中表现出色。
此外,ZVN4206E具有高开关速度,适合用于高频开关电路,这在DC-DC转换器和负载开关应用中尤为重要。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持3.3V至15V之间的栅极驱动,这使其能够与多种控制电路(如微控制器或PWM控制器)兼容。
ZVN4206E的封装设计(SOT-223)提供了良好的散热性能,有助于在高电流负载下保持较低的温度上升,从而提高系统的可靠性。
该器件还具有良好的热稳定性和过载保护能力,在过载或短路情况下,能够在一定程度上防止损坏。
ZVN4206E主要应用于低压电源管理系统中,如电池供电设备、便携式电子设备、小型电机控制和LED驱动电路等。其低导通电阻和高效率使其成为理想的负载开关或DC-DC转换器中的关键组件。
在电池管理系统中,ZVN4206E可用于控制电池的充放电路径,确保系统的稳定运行并提高能量利用效率。
在便携式设备中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,ZVN4206E用于电源管理模块中的开关控制,以降低功耗并延长电池寿命。
该MOSFET还可用于电机控制电路,尤其是在需要低电流控制的小型直流电机中,提供高效的开关控制。
在LED驱动电路中,ZVN4206E可用于调节LED的亮度或实现PWM调光功能,确保光源的稳定性和能效。
此外,该器件也适用于各种工业控制系统,如传感器控制、继电器驱动和电源开关等应用,提供稳定可靠的功率控制解决方案。
2N7002, BSS138, FDN335N, ZVN2106A