时间：2025/9/11 17:52:48
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KF11N50P是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中，具有高耐压和良好的导通性能。这种MOSFET通常用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等场景。KF11N50P的设计确保了在高电压和高电流条件下仍能保持稳定的性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：11A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至150°C
KF11N50P具有低导通电阻和高耐压能力，使其在高效率电源转换应用中表现出色。其设计优化了开关损耗，提高了整体系统效率。此外，KF11N50P具备良好的热稳定性和可靠性，适合在恶劣的工作环境中使用。该MOSFET还具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损失，使其在高频应用中表现优异。
KF11N50P的封装设计有助于有效的热量管理，确保在高功率操作下的稳定性。它还具有良好的抗过载能力和过热保护功能，进一步增强了其在关键应用中的可靠性。其栅极驱动电路简单，易于集成到现有设计中，降低了设计复杂性和成本。
此外，KF11N50P的制造工艺确保了其在高电压和高电流条件下的长期稳定性，减少了器件的老化和性能下降。这种MOSFET的高耐用性和可靠性使其成为工业电源、电机控制和消费类电子产品中理想的选择。
KF11N50P广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、UPS系统、电机驱动和各种电力电子设备中。它在工业自动化、消费电子产品和电源管理系统中也发挥着重要作用。
IRF740, FQP11N50C
