时间：2025/9/2 2:34:06
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H9CCNNNBKTALBR-NUD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和嵌入式系统设计，提供卓越的数据处理能力和低功耗特性。
容量：8Gb
类型：LPDDR4 SDRAM
电压：1.1V（VDD）/ 1.8V（VDDQ）
数据速率：3200Mbps
封装：186-ball FBGA
温度范围：-40°C 至 +85°C
H9CCNNNBKTALBR-NUD 具备出色的性能和能效，适合高性能计算和低功耗应用场景。其 LPDDR4 技术提供了更高的数据传输速率和更低的能耗，适合用于智能手机、平板电脑和高性能嵌入式设备。该芯片采用先进的186-ball FBGA封装技术，确保了在高密度应用中的可靠性和稳定性。
此外，该DRAM芯片在工作温度范围内（-40°C 至 +85°C）具备良好的热稳定性和电气稳定性，能够在各种环境条件下保持正常运行。其3200Mbps的数据速率使其能够满足高速数据处理需求，提升设备的整体性能。
H9CCNNNBKTALBR-NUD 主要用于高端移动设备、平板电脑、嵌入式系统、汽车电子系统以及其他对性能和功耗有较高要求的电子产品中。该芯片适用于需要高速数据处理和多任务操作的应用场景，如图形处理、视频编码/解码、实时数据传输等。
H9CCNNNBKTALBR-NUE
