类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2 欧姆 @ 1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:450mA
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :75pF @ 18V
功率 - 最大:700mW
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*