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ZTX788B 发布时间 时间:2023/9/11 17:46:59 查看 阅读:150

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):15V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):450mV @ 10mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):500 @ 10mA, 2V
功率 - 最大:1W
频率 - 转换:100MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:散装

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ZTX788B参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO15 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO- 5 V
  • 最大直流电集电极电流3 A
  • 配置Single
  • 最大工作频率100 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-92
  • 封装Bulk
  • 集电极连续电流- 3 A
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1000 mW
  • 工厂包装数量4000